Fabricando las Fabs: Predicciones de documentos ASML Vision 300 Lógica de mil millones de transistores por 2030

“La ley de Moore está viva y coleando,” dice ASML, en su documento de visión dirigido a inversores. La empresa fabrica las máquinas que realizan la tarea real de la litografía de silicio: convertir discos de silicio en obleas de chips lógicos o de almacenamiento.. Destacó las diversas tecnologías que avanzan, que ayudará a sus clientes de fabricación de semiconductores, como TSMC y sus cientos de clientes, mantener la Ley de Moore durante toda esta década. La empresa predice SoC con tantos como 300 mil millones de transistores por 2030. Lograr esto, la empresa está innovando en dos direcciones distintas: a nivel de chip, para aumentar la densidad de transistores por chip a más 50 mil millones de transistores; y a nivel de sistema, a través de innovaciones en tecnología de envasado, para alcanzar ese número máximo de transistores.

Según la hoja de ruta de ASML, en el cambio de década, su tecnología permite 5 clase nm en producción, y está en la cúspide de un gran avance, nanosheet-FETs. que allanan el camino para 3 nm y 2 nm nodos, respaldado por litografía EUV. El viaje desde 2 nm a 1.5 nm requerirá otro avance, nanohojas bifurcadas, y de 1.5 nm a 1 nm otro gran avance, CFET. La fabricación por debajo de 1 nm será posible hacia el cambio de esta década, gracias a la tecnología de canal atómico 2D, que es como los diseñadores de chips podrán abarrotar 50 mil millones de transistores por chip, y construir sistemas MCM con más 300 mil millones de transistores. La presentación predice que además de los envases 3D, El silicio apilado también jugará un papel, con múltiples capas lógicas apiladas, chips heterogéneos con lógica, almacenamiento, y capas de E / S, DRAM apilada (desde capas de un solo dígito a dos dígitos; y para que el flash NAND crezca desde las 176 capas actuales, a casi 500 capas por 2030.

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