Fujitsu lance une nouvelle FRAM 8Mbit garantissant une endurance d'écriture jusqu'à 100 Des milliards de fois
FRAM est un produit de mémoire non volatile avec des fonctionnalités supérieures d'endurance élevée en lecture/écriture, vitesse d'écriture rapide et faible consommation d'énergie, et il a été produit en série depuis plus 20 years. Fujitsu a fourni 8 Mbit FRAM MB85R8M2T avec interface parallèle depuis juin 2018. Tout en faisant la promotion du produit, la société a entendu des voix sur les exigences des clients telles que la garantie d'endurance d'écriture de plus de 10 milliards de fois, fonctionnement aussi rapide que SRAM et compatibilité du package TSOP avec SRAM. Fujitsu a maintenant le plaisir de présenter son nouveau 8 Produit Mbit FRAM répondant à ces exigences, maintenir la caractéristique unique de FRAM de faible consommation d'énergie.
Le MB85R8M2TA avec une interface parallèle compatible SRAM fonctionne sur une large plage de tension d'alimentation de 1.8 V à 3.6 V. C'est le premier produit qui garantit 100 trillion de temps de cycle de lecture/écriture dans la famille de produits FRAM de Fujitsu.
Être capable de fonctionner jusqu'à 25ns en mode page rapide, la vitesse d'accès de la nouvelle FRAM est aussi élevée que celle de la SRAM lors d'un transfert de données continu. Il permet non seulement un fonctionnement plus rapide, mais aussi une consommation d'énergie inférieure à celle du produit FRAM conventionnel de Fujitsu.. Cette FRAM a le courant d'écriture maximum de 18mA, 10% moins que le produit actuel, et le courant de veille maximum de 150µA, 50% Moins. Il est logé dans un boîtier TSOP à 44 broches qui est le même que celui de Fujitsu. 4 Mbit FRAM en plus d'un boîtier FBGA à 48 broches.
La nouvelle FRAM 8 Mbit offre aux clients l'avantage d'éliminer une batterie de sauvegarde de données nécessaire pour la SRAM dans certains cas. Le produit FRAM de Fujitsu peut résoudre les problèmes suivants résultant du remplacement de la SRAM par une mémoire non volatile.
- Question: Travail supplémentaire pour modifier la conception de l'interface et la conception du PCB
- Solution: Utilisation de FRAM compatible avec l'interface SRAM et le package SRAM
- Question: Difficile à remplacer par une mémoire non volatile à vitesse d'écriture très lente
- Solution: Utilisation de FRAM avec opération d'écriture rapide jusqu'à 25 ns maximum en mode page
- Question: Restriction de conception due à l'endurance d'écriture jusqu'à 10 milliards de fois
- Solution: Utilisation de FRAM avec endurance en écriture jusqu'à 100 milliards de fois
Fujitsu Semiconductor Memory Solution s'engage à contribuer à une société durable tout en développant des produits hautes performances. Par exemple, la société continue de travailler sur le développement de produits FRAM à faible consommation d'énergie. Avec la réduction de la consommation d'énergie, il vise à réduire les émissions de CO2 pour moins de gaz à effet de serre.
Fujitsu continuera de satisfaire les besoins et les exigences du marché et des clients et développera également des produits de mémoire respectueux de l'environnement..
Spécifications clés
Numéro de pièce MB85R8M2TA
Densité (configuration) 8 Mbit (512K x 16 bit)
Interface Interface parallèle (compatible SRAM basse consommation)
Tension de fonctionnement 1.8 V à 3.6 V
Plage de température de fonctionnement -40°C à +85°C
Endurance en lecture/écriture 100 mille milliards (1014) fois
Boîtier FBGA 48 broches, 44-broche TSOP
Faible consommation d'énergie Courant de fonctionnement: 18mA (max.)
Courant de veille: 150 µA (max.)
Courant de sommeil: 10 µA (max.)